RS6R035BHTB1 与 BSC360N15NS3 G 区别
| 型号 | RS6R035BHTB1 | BSC360N15NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RS6R035BHTB1 | A-BSC360N15NS3 G |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 41mΩ@35A,10V | 36mΩ |
| 上升时间 | - | 6ns |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | 74W |
| Qg-栅极电荷 | - | 12nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 12ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 35A | 33A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 下降时间 | - | 4ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 9ns |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 200 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A |
暂无价格 | 200 | 当前型号 |
|
BSC360N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
150V 33A 36mΩ 20V 74W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSC520N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 67,479 | 对比 |
|
SI4848BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 20 | 对比 |
|
IRF7451TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.2A,10V N-Channel 150V 3.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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